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http://dspace.mediu.edu.my:8181/xmlui/handle/10261/4029| Title: | Ferroelectrics onto silicon prepared by chemical solution deposition methods: from the thin film to the self-assembled systems Ferroeléctricos sobre silicio preparados por métodos de depósito químico de disoluciones: de la lámina delgada a los sistemas auto-ensamblados. |
| Keywords: | Chemical Solution Deposition (CSD) Thin film Ferroelectricity Ultrathin film Nano-sized structures Depósito químico de disoluciones (CSD) Ferroelectricidad Lámina delgada Lámina ultra-delgada Estructuras nanométricas |
| Publisher: | Sociedad Española de Cerámica y Vidrio |
| Description: | [EN] The work of the authors during the last years on ferroelectric thin and ultra-thin films deposited by Chemical Solution
Deposition (CSD) onto silicon based substrates is reviewed in this paper. Ferroelectric layers integrated with silicon
substrates have potential use in the new micro/nanoelectronic devices. Two hot issues are here considered: 1) the use of low
processing temperatures of the ferroelectric film, with the objective of not producing any damage on the different elements
of the device heterostructure, and 2) the downscaling of the ferroelectric material with the aim of achieving the high densities
of integration required in the next generation of nanoelectronic devices. The UV-assisted Rapid Thermal Processing has
successfully been used in our laboratory for the fabrication of ferroelectric films at low temperatures. Preliminary results on
the CSD preparation of nanosized ferroelectric structures are shown. [ES] Este artículo revisa el trabajo realizado por los autores durante los últimos años sobre lámina delgada y ultra-delgada ferroeléctrica preparada mediante el depósito químico de disoluciones (CSD) sobre substratos de silicio. Las películas ferroeléctricas integradas con silicio tienen potenciales usos en los nuevos dispositivos micro/nanoelectrónicos. Dos aspectos claves son aquí considerados: 1) el uso de bajas temperaturas de procesado de la lámina ferroeléctrica, con el fin de no dañar los diferentes elementos que forman la heteroestructura del dispositivo y 2) la disminución de tamaño del material ferroeléctrico con el fin de conseguir las altas densidades de integración requeridas en la próxima generación de dispositivos nanoelectróncos. Los procesos térmicos rápidos asistidos con irradiación UV se están usando en nuestro laboratorio para conseguir la fabricación del material ferroeléctrico a temperaturas bajas compatibles con la tecnología del silicio. Se muestran resultados preliminares sobre estructuras ferroeléctricas nanométricas preparadas por CSD. This work has been supported by the Spanish project CICTY MAT-2004-02014. Peer reviewed |
| URI: | http://dspace.mediu.edu.my:8181/xmlui/handle/10261/4029 |
| Other Identifiers: | Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 45(3): 126-131 (2006) 0366-3175 http://hdl.handle.net/10261/4029 |
| Appears in Collections: | Digital Csic |
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