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http://dspace.mediu.edu.my:8181/xmlui/handle/10261/4690| Title: | No volatilidad en láminas ferroeléctricas de SBT a 75°C Non-volatility of ferroelectric SBT thin fims, at 75ºC |
| Keywords: | NVFeRAM SBT Temperatura Temperature |
| Publisher: | Sociedad Española de Cerámica y Vidrio |
| Description: | [ES] El estudio de la no volatilidad de una memoria FeRAM de tantalato de bismuto y estroncio, SrBi2Ta2O9 (SBT) en condiciones
reales de uso, requiere la caracterización ferroeléctrica del material en forma de lámina delgada a temperaturas por encima
del ambiente. Para ello se han depositado láminas de SBT mediante un método sol-gel, sobre substratos de
Pt/TiO2/SiO2/Si(100), seleccionándose condensadores de área 5.10-4 cm-2. Basándonos en las medidas de la variación de la
polarización con el tiempo (retención) realizadas a temperatura ambiente y a 75ºC, analizamos la viabilidad del material
como una FeRAM en condiciones reales de uso. [EN] The study of the non-volatility of Strontium bismuth tantalate SrBi2Ta2O9 (SBT) FeRAM memory, at real operating conditions, requires the ferroelectric characterisation of the material, as a thin film, above the room temperature.As a result, it has been deposited SBT films by the sol-gel method, onto Pt/TiO2/SiO2/Si (100) substrates, using capacitors of 5 x 10–4 cm-2 .In this work, we analysed the viability of this material as a FeRAM memory in real operating conditions, as a result of the variation of the polarisation measurements with time (retention), performed at room temperature and 75ºC. Este trabajo ha sido realizado con el apoyo del proyecto de la CICYT MAT98-1068. Peer reviewed |
| URI: | http://dspace.mediu.edu.my:8181/xmlui/handle/10261/4690 |
| Other Identifiers: | Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 41(1): 22-26 (2002) 0366-3175 http://hdl.handle.net/10261/4690 |
| Appears in Collections: | Digital Csic |
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